稀土元素摻雜氮化鎵(GaN)的性能與研究進展



活動地點:校本部東區7號樓510會議室

活動時間:2019-10-10 09:30:00

題目:稀土元素摻雜氮化鎵(GaN)的性能與研究進展(Structural and optical properties of rare earth doped GaN)

地點:校本部東區7號樓510會議室(材料基因組工程研究院)

時間: 2019年10月10日 9:30-10:30

邀請人:王生浩

報告人簡介秋本克洋,博士,于1979年在日本京都大學獲博士學位,于1979年到1993年在索尼中央研究院從事藍光激光及發光二極管材料的研發,是藍光激光器的研究先驅(2003年“日本経済新聞社刊”出版書籍《藍光LED和激光器的先驅者》,書中位列了日本在發光二極管(LED)和激光器領域杰出的七位科學家,其中有中村修二、赤崎勇、天野浩、秋本克洋等七位教授)。秋本教授于1993到筑波大學從事教學及科研工作,1998年晉升教授,2012至2014年擔任筑波大學理學部部長,現任筑波大學特命教授。發表SCI收錄文章205篇,著有半導體相關書籍(章節)專著12本,獲得美國授權專利8項,日本授權專利26項,任《Journal of Crystal Growth》期刊客座編輯、《Applied Surface Science》期刊顧問編委、《Japan Journal of Applied Physics》編輯委員。

報告簡介稀土元素摻雜的半導體具有優異的光學特性,故其在LED顯示、上轉換、下轉換等領域有很好的應用價值。本報告將介紹銪(Eu)摻雜和鋱(Tb)摻雜的氮化鎵(GaN)的結構特性、光學性能和缺陷特性,并就基于稀土摻雜的LED器件發光特性展開討論。